具有超级介面的功率电晶体的制作方法

摘要

一种具有超级介面的功率电晶体的制作方法，先于成第一导电性的基板上形成沟渠，再以载子扩散令载子进入该基板而形成一成第二导电性的第二部，及保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部，接着移除第二部部份结构以界定第三部与渠道，继续于渠道中填入第一填充材，最后于第一填充材顶面形成一成第一导电性的源极区、成第二导电性的井区及闸极结构，即制得具有超级介面的功率电晶体。以本发明制作方法制得的功率电晶体不仅具有晶格连续的超级介面，亦可控制扩散进入基板的主要载子浓度，而具有可控制且稳定的电特性。

主权项

一种具有超级介面的功率电晶体的制作方法，包含：(a)于一成第一导电性的基板上形成一沟渠；(b)以载子扩散的方式令载子经该沟渠进入该基板中，而在该基板形成有该沟渠的邻近区域转变成一相反于第一导电性的第二导电性的第二部，及一保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部；(c)移除该第二部部分结构而形成一成第二导电性的第三部，及一由该第三部界定出的渠道；(d)于该渠道中填入一第一填充材；及(e)于该第三部与该第一填充材植入载子而形成一成第一导电性的源极区，及一实体接触该源极区且保持第二导电性的井区，并于该第一部上形成一包括一介电材及一导电材的闸极结构，而制得一具有超级介面的功率电晶体。