发明名称 形成具有萧基接面之多型式的电晶体的方法
摘要 一种闸电极(14),其系覆盖一基板(12)形成。向该基板中以一第一角度执行一第一成角金属植入,随后以一第二角度执行一第二成角金属植入。该第一成角金属植入与该第二成角金属植入形成一第一电流电极(20)与一第二电流电极(22)。该第一电流电极(20)与该第二电流电极(22)之各电流电极具有不同金属组成物之至少两个区域。覆盖该闸电极、该第一电流电极及该第二电流电极来沈积一金属层。该金属层系退火(30)以在该第一电流电极与该第二电流电极之各电流电极中形成两个萧基接面。该两个萧基接面具有不同的阻障位准。
申请公布号 TWI443752 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW097115593 申请日期 2008.04.28
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 毕杨W 明
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种方法,其包含:提供一基板;覆盖该基板形成一闸电极;向该基板中以一第一角度并自一第一方向执行一第一成角金属植入;向该基板中以一第一角度但系自不同于该第一方向之一第二方向执行一第二成角金属植入,该第一成角金属植入与该第二成角金属植入在该基板内形成一第一电流电极与一第二电流电极;向该基板中以少于该第一角度之一第二角度并自一第三方向执行一第三成角金属植入;向该基板中以该第二角度但系自不同于该第三方向之一第四方向执行一第四成角金属植入,该第一电流电极与该第二电流电极之各电流电极具有不同金属组成物之至少两个区域,该第一电流电极具有与该第二电流电极对称之一组成物;覆盖该闸电极、该第一电流电极及该第二电流电极来沈积一金属层;以及退火该金属层以在该第一电流电极与该第二电流电极之各电流电极中形成两个萧基接面,该两个萧基接面具有不同的阻障位准。
地址 美国