| 主权项 |
一种超结半导体装置，其包括：一半导体基底，其具有经配置用以形成一第一电极的一表面；一半导体材料的区域，其与该半导体基底形成有间隔的关系，并具有一主动区和一终端区，该半导体材料的区域具有一第一传导类型和一第一电荷密度；一主动式装置，其在该主动区中形成，其中，该主动式装置包括：一第一和第二沟槽，其在该半导体材料的区域中形成，其中，该第一和第二沟槽具有侧壁表面；一第二传导类型的第一掺杂区，该第二传导类型与该第一传导类型相反，该第二传导类型的第一掺杂区沿该第一和第二沟槽的该侧壁表面的至少一部分形成，其中，该第一掺杂区具有经配置用以平衡该第一电荷密度以形成一超结结构的一第二电荷密度；该第二传导类型的一基极区，其在该第一和第二沟槽之间的该半导体材料的区域中形成；该第一传导类型的一源极区，其在该基极区中形成；一第一绝缘控制电极，其邻近该基极区和该源极区，并经配置用以控制在该源极区和该第一电极之间流动的一电流；以及一第一沟槽填充材料，其在该第一和第二沟槽中形成；以及一终端结构，其在该终端区中形成，其中，该终端结构包括：多个终端沟槽，其在该半导体材料的主体中形成，并延伸至该半导体基底，其中，该多个终端沟槽中的各终端沟槽都具有沿侧壁表面形成的该第二传导类型的一第二掺杂区，其中，该第二掺杂区具有经配置用以平衡该第一电荷密度的第二电荷密度；一第二沟槽填充材料，其在该多个终端沟槽中形成，其中该第二沟槽填充材料包括一材料，其经配置以允许一耗尽区扩散至该多个终端沟槽之至少一部分；以及一绝缘层，其覆盖该终端结构而形成，并且经配置成使得该多个终端沟槽和该第二掺杂区中的该第二沟槽填充材料是漂浮的。 |
