发明名称 |
电化隔离元件及其制造方法;GALVANICALLY-ISOLATED DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
摘要 |
本发明提供一种电化隔离元件及其制造方法。上述电化隔离元件包括导线架,其包括第一晶片座、第一导脚和第二导脚;基板,设置于第一晶片座上;高压半导体电容,形成于基板上,其中高压半导体电容包括内连线结构,包括金属层间介电层结构;彼此隔开的第一电极板、第二电极板和第三电极板,位于金属层间介电层结构上,其中第一电极板、第二电极板和与第一电极板、第二电极板重叠的金属层间介电层结构的第一部分系构成第一电容,其中第一电极板、第三电极板和与第一电极板、第三电极板重叠的金属层间介电层结构的第二部分系构成第二电容。 |
申请公布号 |
TW201426923 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102148608 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
新能微电子股份有限公司 |
发明人 |
许伟展;吴立德;石正枫 |
分类号 |
H01L23/12(2006.01);H01L23/495(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
NEOENERGY MICROELECTRONIC, INC. 新竹县竹北市台元街26号6楼之1 TW |