发明名称 电化隔离元件及其制造方法;GALVANICALLY-ISOLATED DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要 本发明提供一种电化隔离元件及其制造方法。上述电化隔离元件包括导线架,其包括第一晶片座、第一导脚和第二导脚;基板,设置于第一晶片座上;高压半导体电容,形成于基板上,其中高压半导体电容包括内连线结构,包括金属层间介电层结构;彼此隔开的第一电极板、第二电极板和第三电极板,位于金属层间介电层结构上,其中第一电极板、第二电极板和与第一电极板、第二电极板重叠的金属层间介电层结构的第一部分系构成第一电容,其中第一电极板、第三电极板和与第一电极板、第三电极板重叠的金属层间介电层结构的第二部分系构成第二电容。
申请公布号 TW201426923 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102148608 申请日期 2013.12.27
申请人 新能微电子股份有限公司 发明人 许伟展;吴立德;石正枫
分类号 H01L23/12(2006.01);H01L23/495(2006.01) 主分类号 H01L23/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 NEOENERGY MICROELECTRONIC, INC. 新竹县竹北市台元街26号6楼之1 TW