| 发明名称 |
碘系蚀刻液及蚀刻方法 |
| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种碘系蚀刻液，其对于钯材料的蚀刻速率，比对于与钯材料不同之金属材料的蚀刻速率高，尤其提供一种碘系蚀刻液，其能够相对地降低蚀刻液中的有机溶剂的浓度。本发明的碘系蚀刻液，用以对钯材料和与钯材料不同之其他金属材料共存之材料进行蚀刻，并且，该碘系蚀刻液，含有与水相溶之有机溶剂和水溶性高分子化合物。 |
| 申请公布号 |
TW201425539 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102135099 |
申请日期 |
2013.09.27 |
| 申请人 |
关东化学股份有限公司 |
发明人 |
永岛和明;高桥秀树 |
| 分类号 |
C09K13/06(2006.01);C23F1/14(2006.01);C23F1/44(2006.01);H01L21/465(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C09K13/06(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 |
