半导体装置及其制造方法;A NEW MOS STRUCTURE FOR SIZE REDUCTION

摘要

本公开公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源区上；至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述衬底之上，且在所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。根据本公开，可以有效降低半导体装置的尺寸。