发明名称 |
去耦合电容、去耦合电容电路及使用鳍型场效电晶体(FinFET)作爲去耦合电容之方法;DECOUPLING CAPACITOR, DECOUPLING CAPACITOR CIRCUIT, AND A METHOD OF USING A FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR AS A DECOUPLING CAPACITOR |
摘要 |
本发明提供了由鳍型场效电晶体所形成之一种去耦合电容及其使用方法。去耦合电容之一实施例包括:一鳍型场效电晶体,具有支撑设置于数个隔离区之间之一鳍状物之一半导体基板、一源极与一汲极;一第一端点,耦接于该半导体基板与该闸堆叠物,该第一端点系配置以耦接一第一电源线;以及一第二端点,耦接于该源极与该汲极,该第二端点系配置以耦接具有高于该第一电压源之一电压之一第二电源线。 |
申请公布号 |
TW201427020 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102145498 |
申请日期 |
2013.12.11 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李介文;张伊锋 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |