| 发明名称 |
基板处理方法、程式及记录程式之记录媒体 |
| 摘要 |
形成与基础层的界面更平坦(flat)且均一的Ti矽化物膜，藉此形成更低电阻的接触构造。;基板处理装置(100)系具备：共同连结于处理室(104A~104D)的第1共通搬送室(102)；和共同连结于处理室(104E、104F)的第2共通搬送室(120)。各处理室(104E、104F、104A、104C、104B)系分别构成为：令包含Si晶圆上之自然氧化膜的异物与气体成份起化学反应而产生生成物的COR处理室、将产生在Si晶圆上的生成物利用热处理加以除去的PHT处理室、将Ti膜成膜在Si晶圆之Si表面上的Ti膜成膜处理室、在Ti膜与基础层之间引起矽化反应而形成Ti矽化物膜的矽化物形成处理室、将TiN膜成膜在Ti矽化物膜上的TiN膜成膜处理室。 |
| 申请公布号 |
TWI443719 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW095138422 |
申请日期 |
2006.10.18 |
| 申请人 |
东京威力科创股份有限公司 日本 |
发明人 |
多田国弘;成嶋健索;若林哲;山内晋 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/768;C23C16/14;H01L21/3205;H01L21/677 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种基板处理方法，属于在被处理基板之含矽表面上形成Ti合金膜的基板处理装置之基板处理方法，其特征为：于前述被处理基板，不非晶质化露出之含矽表面；使前述被处理基板不暴露于大气而在前述基板处理装置内连续实行：不使用电浆而除去前述被处理基板所露出之含矽表面上的异物的异物除去处理工程；和对前述被处理基板上供应含Ti原料气体，并将Ti膜成膜在已除去前述异物之前述含矽表面上的Ti膜成膜处理工程；和藉由将前述被处理基板进行热处理而使前述Ti膜与前述含矽表面引起反应而于前述含矽表面上形成与下底的界面为平坦之Ti合金膜的合金化处理工程；前述异物除去处理工程系连续实行：对前述被处理基板上供应反应气体，用以使前述含矽表面上的前述异物与前述反应气体的气体成份进行化学反应而产生生成物的生成物生成处理工程；和将前述被处理基板进行热处理而用以昇华除去前述含矽表面上之前述生成物的生成物除去处理工程。 |
| 地址 |
日本 |
