| 发明名称 |
使用沟道自对准矽化物布线层之方法;METHODS OF USING A TRENCH SALICIDE ROUTING LAYER |
| 摘要 |
所揭露的是使用分段式沟道自对准矽化物层(segmented trench salicide layer)而能选择性连接鳍结构(fin structure)的方法以及所产生之装置(resulting device)。具体实施例包括：在基底上提供至少一个闸极结构；提供依垂直方向与至少一个闸极结构相交的第一与第二鳍结构；以及提供自对准矽化物层之第一区段(segment)，第一区段系沿着水平方向形成并且系与第二鳍结构连接以及与第一鳍结构分离。 |
| 申请公布号 |
TW201427004 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102122117 |
申请日期 |
2013.06.21 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
拉汉德 马布;沙玛凡德 史坎斯;杜曼 大魏;珍 纳特;肯格瑞 史巴玛尼;凡卡特沙 史瑞齐 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪武雄</name><name>陈昭诚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
GLOBALFOUNDRIES US INC. 美国 |
