发明名称 |
薄膜发光二极体装置;THIN FILM LIGHT EMITTING DIODE DEVICE |
摘要 |
一种薄膜发光二极体装置,包括基板、发光二极体、绝缘层及导电层。发光二极体设置于基板的顶面,且彼此之间有空隙。每一发光二极体包括第一、第二半导体层及发光层。第2m-1个发光二极体的第一半导体层位于基板与发光层之间,第2m个发光二极体的第二半导体层位于基板与发光层之间,m为大于等于1的整数。绝缘层填入发光二极体间的空隙。导电层自第2m-1个发光二极体的第二半导体层上跨越绝缘层接触第2m个发光二极体的第一半导体层,使第2m-1个发光二极体与第2m个发光二极体电性串联。 |
申请公布号 |
TW201426990 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW101149575 |
申请日期 |
2012.12.24 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
胡鸿烈;蔡曜骏;杨季瑾;温士逸 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name> |
主权项 |
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地址 |
INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |