发明名称 薄膜发光二极体装置;THIN FILM LIGHT EMITTING DIODE DEVICE
摘要 一种薄膜发光二极体装置,包括基板、发光二极体、绝缘层及导电层。发光二极体设置于基板的顶面,且彼此之间有空隙。每一发光二极体包括第一、第二半导体层及发光层。第2m-1个发光二极体的第一半导体层位于基板与发光层之间,第2m个发光二极体的第二半导体层位于基板与发光层之间,m为大于等于1的整数。绝缘层填入发光二极体间的空隙。导电层自第2m-1个发光二极体的第二半导体层上跨越绝缘层接触第2m个发光二极体的第一半导体层,使第2m-1个发光二极体与第2m个发光二极体电性串联。
申请公布号 TW201426990 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW101149575 申请日期 2012.12.24
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 胡鸿烈;蔡曜骏;杨季瑾;温士逸
分类号 H01L27/15(2006.01) 主分类号 H01L27/15(2006.01)
代理机构 代理人 <name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name>
主权项
地址 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号