发明名称 |
半导体元件之制造方法、半导体元件;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
【课题】本发明系以提供:在基板与金属层之间具有良好的被覆性之层,可藉由此层而抑制金属层成分之Cu等对于基板的扩散之半导体元件之制造方法,以及半导体元件为目的。【解决手段】包括:将基板10浸渍于含有金属离子液体而在该基板表面上使金属触媒12a附着之工程、将该附着了金属触媒之该基板浸渍于无电解电镀液中而在该基板上形成无电解电镀层14之工程、将该基板浸渍于电解电镀液,将该无电解电镀层做为给电层而在该无电解电镀层上形成电解电镀层16之工程、在该电解电镀层上以Cu或Ag形成金属层18之工程。该电解电镀层,系以不同于该金属层之材料所形成。 |
申请公布号 |
TW201426832 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102129761 |
申请日期 |
2013.08.20 |
申请人 |
三菱电机股份有限公司 |
发明人 |
津波大介;西沢弘一郎 |
分类号 |
H01L21/288(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/288(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
<name>洪澄文</name> |
主权项 |
|
地址 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 日本 |