| 发明名称 |
包含多重量子井结构的光电半导体晶片 |
| 摘要 |
一种具有活性区(20)之光电半导体晶片，此活性区(20)包含一用来产生电磁辐射的多重量子井结构，其具有多个依序排列的量子井层(210，220，230)。该多重量子井结构具有：至少一第一量子井层(210)，其被掺杂而具有n－导电性且配置在二个与第一量子井层相邻的n－导电之掺杂的位障层(250)之间；一第二量子井层(220)，其未掺杂且配置在二个与第二量子井层相邻的位障层(250，260)之间，其中一位障层被掺杂而具有n－导电性，另一位障层未掺杂；以及至少一第三量子井层(230)，其未掺杂且配置在二个与第三量子井层相邻之未掺杂的位障层(260)之间。 |
| 申请公布号 |
TWI443859 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW097136253 |
申请日期 |
2008.09.22 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 |
发明人 |
马修斯彼得;彼得史陶斯;亚历山大华特 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种光电半导体晶片，具有活性区(20)，该活性区(20)包含用来产生电磁辐射的多重量子井结构，该多重量子井结构具有多个依序排列的量子井层(210，220，230)，该多重量子井结构具有：-至少一个第一量子井层(210)，其被掺杂而具有n-导电性且配置在二个与第一量子井层(210)相邻的、n-导电地掺杂的位障层(250)之间，-第二量子井层(220)，其未掺杂且配置在二个与第二量子井层相邻的位障层(250，260)之间，其中一个位障层被掺杂而具有n-导电性，另一个位障层未掺杂，以及-至少一个第三量子井层(230)，其未掺杂且配置在二个与第三量子井层相邻的、未掺杂的位障层(260)之间。 |
| 地址 |
德国 |
