| 摘要 |
一些实施例提供一种包括一第一晶粒及一光学接收器之半导体器件。该第一晶粒包括一背面层,该背面层具有充分薄以允许一光学信号横穿该背面层之一厚度。该光学接收器经组态以经由该第一晶粒之该背面层来接收若干光学信号。在一些实施例中,每一光学信号源自一耦接至一第二晶粒之对应之光学发射器。在一些实施例中,该背面层为一晶粒基板。在一些实施例中,该光学信号横越该背面层之一基板部分。该第一晶粒另外包括一作用层。该光学接收器为该作用层之部分。在一些实施例中,该半导体器件包括一包括一光学发射器之第二晶粒。该第二晶粒耦接至该第一晶粒之该背面。 |
