| 发明名称 | 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。该工艺减弱了晶体生长过程中硼元素的定向分凝，可以使硅锭的出成率提高7～12%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得电池片的转换效率提高0.1%～0.2%。 | ||
| 申请公布号 | CN103882518A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410123795.5 | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 谭毅;李鹏廷;任世强;石爽;姜大川 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人 | 赵淑梅;李馨 |
| 主权项 | 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。 | ||
| 地址 | 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 | ||