| 发明名称 | 低电阻率接触 | ||
| 摘要 | 本发明公开了到半导体结构的低电阻率接触的实施例。在一个实施例中，一种半导体结构包括：半导体层；处于半导体层的表面上的、具有低带隙的半导体接触层；以及处于半导体接触层的与半导体层相对的表面上的电极。半导体接触层的带隙在0到0.2电子伏（eV）范围内并且包括0和0.2电子伏，更优选地在0到0.1eV范围内并且包括0和0.1eV，甚至更优选地在0到0.05eV范围内并且包括0和0.05eV。优选地，半导体层是p型。在一个具体实施例中，半导体接触层和电极形成到p型半导体层的欧姆接触，并且由于半导体接触层的低带隙，欧姆接触具有小于1x10<sup>-6</sup>欧姆·cm<sup>2</sup>的电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN103890985A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201280044859.1 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 弗诺尼克设备公司 | 发明人 | R.J.瑟里恩;J.D.里德;J.A.拉姆齐;A.L.格雷 |
| 分类号 | H01L35/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体层；半导体接触层，处于所述半导体层的表面上，所述半导体接触层具有在0到0.2电子伏范围内并且包括0和0.2电子伏的带隙；以及金属电极，处于所述半导体接触层的与所述半导体层相对的表面上。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||