MEMS器件真空封装结构的制作方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽，并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极，以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环形通槽的填充物致密性很高，提高了器件的隔离效果、可靠性以及器件在真空封装时的机械强度，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；本发明对全硅结构的真空封装采用硅硅键合，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势。本发明与CMOS工艺的完全兼容，不仅用于MEMS器件中的惯性器件的真空封装，也可用于红外等其他器件，如角速度传感器、能量采集器或红外传感器。

主权项

一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1）提供一下基板，在所述下基板中预制作岛状支撑结构处刻蚀封闭环形槽，以使所述封闭环形槽环绕出岛状支撑结构； 2）在所述下基板上表面形成绝缘层；3）在所述绝缘层表面生长外延层直至填充满所述封闭环形槽，而后减薄所述外延层直至暴露出所述封闭环形槽开口两侧的绝缘层；4）去除暴露在所述下基板表面上的绝缘层；5）提供一结构层，将所述结构层对准键合至所述下基板上表面；6）图形化并刻蚀所述结构层，以形成所需的MEMS器件；7）提供一上基板，在所述上基板中刻蚀出对应所述封闭环形槽的第一凹槽，并利用键合工艺将所述上基板真空键合至所述结构层；8）背面减薄所述下基板，直至暴露出所述封闭环形槽，以使所述封闭环形槽形成填充有外延层及绝缘层的封闭环形通槽，完成真空封装结构的制作。