| 发明名称 | 固相键合晶片的支承基板的剥离方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种从投入晶片制造工艺时就能够使用Si薄晶片而不会产生实质的晶片断裂、并能够容易地进行Si薄晶片与支承基板的剥离、从而降低晶片成本的固相键合晶片的支承基板的剥离方法以及半导体装置的制造方法。在从包括Si晶片和与该Si晶片的背面固相键合的支承基板的固相键合晶片上剥离所述支承基板的方法中，本发明的剥离支承基板的方法至少包括：断裂层形成工序，在该断裂层形成工序中，使聚光点对准所述Si晶片与所述支承基板的固相键合界面，并照射出使用了具有可透过Si晶片的波长的激光，从而在所述固相键合界面的外周部的至少一部分上形成断裂层；剥离所述断裂层的断裂层剥离工序；以及剥离所述固相键合界面的键合界面剥离工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103890908A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201280051546.9 | 申请日期 | 2012.10.16 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 中嶋经宏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 宋俊寅 |
| 主权项 | 一种固相键合晶片的支承基板的剥离方法，是从包括Si晶片和与Si晶片的背面固相键合的支承基板的固相键合晶片上剥离所述支承基板的方法，其特征在于，至少包括：断裂层形成工序，在该断裂层形成工序中，使聚光点对准所述Si晶片与所述支承基板的固相键合界面，并照射出使用了具有可透过Si晶片的波长的激光，从而在所述固相键合界面的外周部的至少一部分上形成断裂层；断裂层剥离工序，在该断裂层剥离工序中剥离所述断裂层；以及键合界面剥离工序，在该键合界面剥离工序中剥离所述固相键合界面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||