| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。本发明采用双层刻蚀阻挡层工艺制作薄膜晶体管，有效地降低了刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜中的氢含量，避免硅烷分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物反应，使氧化物薄膜晶体管保持较优的特性，并提高了刻蚀阻挡层的薄膜沉积速率。 | ||
| 申请公布号 | CN103887343A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210564245.8 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 谢振宇;徐少颖;李田生;阎长江;李靖;田宗民 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 武晨燕;张颖玲 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其特征在于，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||