磁振子磁随机存取存储器器件

摘要

提供了一种用于双向写入的机制。一种结构包括在隧道势垒顶上的参考层、在隧道势垒之下的自由层、在自由层之下的金属隔离物、在金属隔离物之下的绝缘磁体以及在绝缘层之下的高电阻层。高电阻层作为加热器，其中加热器加热绝缘磁体以产生自旋极化电子。绝缘磁体产生的自旋极化电子使自由层的磁化不稳定化。当磁化被不稳定化时，施加电压以改变自由层的磁化状态。电压的极性确定何时自由层的磁化平行和反平行于参考层的磁化。

主权项

一种用于磁随机存取存储器（MRAM）器件的双向写入的方法，所述器件具有参考层、邻近所述参考层的隧道势垒、邻近所述隧道势垒的自由层、邻近所述自由层的金属隔离物、邻近所述金属隔离物的绝缘磁体以及邻近所述绝缘磁体的金属加热器，所述方法包括：响应于热梯度使所述绝缘磁体产生自旋极化电子；通过从所述绝缘磁体产生的所述自旋极化电子开始所述自由层的磁化的不稳定化；以及在开始所述不稳定化之后，向所述MRAM器件施加电压，以选择所述自由层的所述磁化。其中所述电压的极性确定所述自由层的磁化是平行还是反平行于所述参考层的磁化。