| 发明名称 | 注入装置的离子源和离子注入方法 | ||
| 摘要 | 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN103887132A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210559934.X | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 单易飞;邬璐磊;董春荣 |
| 分类号 | H01J37/08(2006.01)I;H01J27/08(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种注入装置的离子源，其特征在于，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||