半导体集成电路装置

摘要

本发明提供一种半导体集成电路装置，其中，第二单元(CL2)与具有基准单元高度的N倍(N为2以上的整数)的单元高度的第一单元(CL1)在单元宽度方向上邻接。在第二单元(CL2)的供电用金属布线(101)之下形成由杂质扩散区域形成的扩散布线(102)。第一单元(CL1)具有以横跨金属布线(101)的单元宽度方向上的延长区域的方式与扩散布线(102)相对置形成的晶体管扩散区域(D_MP23)。扩散布线(102)在单元宽度方向上与单元边界(BL1)相间隔地配置。

主权项

一种半导体集成电路装置，其配置了多个单元，上述多个单元包括：第一单元，其是具有基准单元高度的N倍的单元高度的多高度单元，N为2以上的整数；以及第二单元，其在单元宽度方向上与上述第一单元相邻配置，上述第二单元具有：第一金属布线，其在单元高度方向上的一端，以沿单元宽度方向延伸的方式配置；以及第一扩散布线，其由在上述第一金属布线之下以沿单元宽度方向延伸的方式形成的杂质扩散区域形成，并经由接点与上述第一金属布线连接，上述第一单元具有：第一晶体管扩散区域，其在单元宽度方向上与上述第一扩散布线相对置，且以在单元高度方向上横跨上述第一金属布线的单元宽度方向上的延长区域的方式形成，并构成晶体管，上述第一扩散布线在单元宽度方向上，与上述第一单元和上述第二单元之间的单元边界相间隔地配置。