| 发明名称 | 半导体器件及系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。 | ||
| 申请公布号 | CN101752367B | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN200910179027.0 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | S·I·索洛维约夫;H·-Y·查;P·M·桑维克;A·韦尔;J·A·弗龙黑泽 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件(400)，包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于所述第一区域设置以形成p‑n结结构；所述第二导电类型的电阻修改区域(406)；所述电阻修改区域(406)包括沿着电阻修改区域的厚度方向的变化的掺杂剂浓度分布区域；和所述第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置成在所述电阻修改区域与所述第二区域之间并且与所述电阻修改区域和所述第二区域相接触，其中，所述场响应修改区域包括沿着所述场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布区域。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||