发明名称 |
铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池,该电池包括前表面与背表面均覆盖有n型掺杂层的板状的N型硅衬底,在n型掺杂层外覆盖有钝化层,背表面的N型硅衬底上间隔地嵌入有p型掺杂层,p型掺杂层上方连接有电池正极,背表面n型掺杂层中还嵌入有电池负极。本实用新型具有低成本和可量产的优点。 |
申请公布号 |
CN203674224U |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201320758593.9 |
申请日期 |
2013.11.27 |
申请人 |
奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
发明人 |
董经兵;李海波;朱彦斌;张斌;邢国强 |
分类号 |
H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0288(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
刘燕娇 |
主权项 |
一种铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池,其特征在于:包括板状的N型硅衬底,在所述N型硅衬底的前表面和背表面覆盖有n型掺杂层,所述n型掺杂层外覆盖有钝化层,所述背表面的N型硅衬底上间隔地嵌入有p型掺杂层,所述p型掺杂层上方连接有电池正极,所述背表面n型掺杂层中嵌入有电池负极。 |
地址 |
215434 江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号 |