在非易失性存储器中防止无意的永久写保护

摘要

可在用于集成电路装置的不同编程功能的不同电压电平之间建立输入电压范围，因此实施非操作的保护区(“安全区”)以促进防止无意的不可逆编程操作，例如，所述装置中的非易失性可编程存储器的永久写保护。

主权项

一种具有非易失性可编程存储器的集成电路装置，其包含：非易失性存储器；存储器控制与编程逻辑，其耦合到所述非易失性存储器且适于将数据写入到所述非易失性存储器，其中，所述存储器控制与编程逻辑用于根据提供给至少一个多功能输入连接的电压来判断是否执行永久写保护功能或临时写保护功能，以及判断是否不能够实现所述永久写保护以及临时写保护；至少一个多功能输入连接，其耦合到所述存储器控制与编程逻辑，其中所述至少一个多功能输入连接用于实现对写入到所述非易失性存储器的数据的永久写保护或临时写保护；其中，当所述至少一个多功能输入连接上的所述电压小于第一电压值时，启用所述永久写保护，及当所述至少一个多功能输入连接上的所述电压大于第二电压值时，启用所述临时写保护，所述第二电压值大于所述第一电压值；且其中，当所述至少一个多功能输入连接上的所述电压等于或大于所述第一电压值且小于或等于所述第二电压值时不能够实现所述写保护。