发明名称 | 用于修复半导体存储器的设备和方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种用于修复半导体存储器装置的设备和方法,其包括第一存储器单元阵列、第一冗余单元阵列和修复电路,所述修复电路经配置以非易失性地存储指示所述第一存储器单元阵列中的至少一个缺陷存储器单元的第一地址。第一易失性高速缓冲存储器存储对应于指示所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址的第一高速缓存地址。所述修复电路将指示所述第一存储器单元阵列的所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址分配给所述第一易失性高速缓冲存储器。当第一存储器存取对应于所述第一高速缓存地址时,匹配电路用来自所述第一冗余单元阵列的至少一个冗余存储器单元来取代所述第一存储器单元阵列中的所述至少一个缺陷存储器单元。 | ||
申请公布号 | CN101253576B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
申请号 | CN200680032046.5 | 申请日期 | 2006.06.14 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 克里斯·G·马丁;特洛伊·A·曼宁;布伦特·基斯 |
分类号 | G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
主权项 | 一种修复包括多个存储器区块的存储器装置上的一存储器单元序列的方法,其包含:针对所述多个存储器区块的每一者在所述存储器装置上非易失性编程一可编程元件群组以存储指示相应的存储器区块中的至少一个缺陷存储器单元的地址;在所述多个存储器区块中的每一者中的高速缓冲存储器中将针对所述相应的存储器区块的所述地址易失性存储作为指示所述至少一个缺陷存储器单元的第一地址;当第一存储器存取对应于所述第一地址时,在所述多个存储器区块的对应一者中用至少一个冗余存储器单元取代所述至少一个缺陷存储器单元;以及通过各条串行数据总线将相应于相关的存储器区块的地址信息从所述可编程元件群组串行地发送到所述多个存储器区块中的相应的存储器区块,所述各条串行数据总线与相应于所述相关的存储器区块的所述可编程元件群组中的相应反熔丝逻辑块耦接。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |