发明名称 |
监控栅极漏电的测试结构和测试方法 |
摘要 |
本发明提出了一种监控栅极漏电的测试结构和测试方法,形成梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层,两者交错排列并相互隔离,在进行测试时,只需测试栅极和自对准层之间是否存在漏电流即可判断出栅极工艺是否存在问题,从而能够在形成栅极之后测试出栅极漏电情况,从而在早期快速地监控到具有较窄的栅极间距的区域的相关工艺异常的情况,或者可以发现相应的可靠性缺陷,极大地提高了产品的质量和可靠性,降低了成本。 |
申请公布号 |
CN103871924A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410109815.3 |
申请日期 |
2014.03.24 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈强 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种监控栅极漏电的测试结构,用于监测栅极漏电现象,所述结构包括:梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层,所述栅极和自对准层交错排列,且两者之间相互隔离。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |