发明名称 MEMS开关
摘要 一种MEMS开关,包括:衬底;所述衬底上的第一和第二信号线,所述第一和信号线各自在连接区域处终止;所述衬底上的下致动电极;可移动接触电极,悬置于所述第一和第二信号线的连接区域上。上致动电极设置在所述下致动电极上方。所述第一和第二信号线的连接区域与所述衬底相距第一高度,其中从所述连接区域延伸的信号线部分与所述衬底相距较低的高度,并且所述下致动电极设置在所述较低高度的信号线部分上方,使得掩埋所述较低高度的信号线部分。可用于致动电极的面积变得更大,并且减小了不需要的力和干扰。
申请公布号 CN102054628B 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201010543801.4 申请日期 2010.11.09
申请人 NXP股份有限公司 发明人 皮特·斯蒂内肯;希尔柯·瑟伊
分类号 H01H59/00(2006.01)I;H01H11/00(2006.01)I 主分类号 H01H59/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种MEMS开关,包括:衬底(101);所述衬底上的第一和第二信号线(102、103),所述第一和第二信号线各自在连接区域(102a、103a)处终止;所述衬底上的下致动电极(105);可移动接触电极(108),悬置于所述第一和第二信号线(102、103)的连接区域(102a、103a)上;以及上致动电极(107),设置在所述下致动电极(105)上,所述上致动电极和下致动电极产生静电力,所述静电力移动所述可移动接触电极,以便所述可移动接触电极与连接区域电接触或不接触;其中所述第一和第二信号线的连接区域(102a、103a)与所述衬底(101)相距第一高度,其中从所述连接区域延伸的信号线部分(102b、103b)与所述衬底(101)相距较低的高度,并且其中所述下致动电极(105)设置在所述较低高度的信号线部分(102b、103b)上方。
地址 荷兰艾恩德霍芬