| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电源装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其包含具有使多个量子点层（8）层叠而成的结构的漂移层（2），所述量子点层（8）具有含有In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N（0≤x≤1）的量子点（6）以及埋置量子点、含有n型In<sub>x</sub>（Ga<sub>y</sub>Al<sub>1-y</sub>）<sub>1-x</sub>N（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层（7）。 | ||
| 申请公布号 | CN103875073A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201180074074.4 | 申请日期 | 2011.10.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 冈本直哉 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 金世煜;苗堃 |
| 主权项 | 半导体装置，其包含具有使多个量子点层层叠而成的结构的漂移层，所述量子点层具有包含In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N（0≤x≤1）的量子点以及埋置所述量子点、含有n型In<sub>x</sub>（Ga<sub>y</sub>Al<sub>1‑y</sub>）<sub>1‑x</sub>N（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||