半导体装置

摘要

本发明提供一种在具有当施加了高电压时在反向偏置中的漏电流少、正向压降(Vf)低的整流元件的单一基板上一体形成晶体管元件和整流元件的半导体装置。半导体装置(10)是在单一基板(11)上具有晶体管元件(12)和整流元件(13)的半导体装置(10)，晶体管元件(12)具有：形成在基板(11)上的活化层(14)；以及与活化层(14)接合的源电极(15)、漏电极(16)和栅电极(17)，整流元件(13)具有：与活化层(14)接合的阳电极(18)；使用漏电极(16)的阴电极；以及在阳电极(18)和阴电极之间的第1辅助电极(19)。

主权项

一种半导体装置，其在单一基板上具有晶体管元件和整流元件，该半导体装置的特征在于，所述晶体管元件具有：形成在所述基板上的活化层；以及与所述活化层接合的源电极、漏电极和栅电极，所述整流元件具有：与所述活化层接合且与所述源电极电连接的阳电极；利用了所述漏电极的阴电极；以及所述阳电极与所述阴电极之间的与所述活化层接合且与所述源电极电连接的第1辅助电极和第2辅助电极，所述活化层具有：第1氮化物半导体层；在所述第1氮化物半导体层上异质接合而形成的第2氮化物半导体层；以及形成在所述第1氮化物半导体层中的二维载流子气层，所述第1辅助电极设置于所述阳电极与所述第2辅助电极之间，所述第2辅助电极设置于所述漏电极与所述第1辅助电极之间，所述第2辅助电极与所述活化层之间的势垒比所述阳电极与所述活化层之间的势垒高，所述第1辅助电极配设在变薄而成为势垒层的一部分的凹槽结构的内部，所述第2辅助电极不设置在所述凹槽结构内。