半导体装置

摘要

半导体装置。根据本发明的半导体装置（1）包括：平板形式的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于半导体元件（2）的第一表面侧上的控制布线（4）；金属块（8），所述金属块经由焊料层接合到半导体元件（2）的第一表面侧；和保护膜（7a），所述保护膜形成在金属块（8）和绝缘层（6）之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或者大于金属块（8）的硬度。当从第一表面侧观察时，保护膜（7a）形成在至少包括金属块（8）的边缘部分和控制布线（4）相互交叉的位置的区域中。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：平板状的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；控制布线（4）；绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于所述半导体元件的第一表面侧上的所述控制布线；焊料层（9）；金属块（8），所述金属块经由所述焊料层接合到所述半导体元件的所述第一表面侧；和保护膜（7a），所述保护膜形成在所述金属块和所述绝缘层之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或大于所述金属块的硬度，其中，当从所述第一表面侧观察时，所述保护膜至少形成在所述金属块（8）的边缘部分与所述控制布线（4）相互交叉的位置处。