| 发明名称 | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管，所述发光二极管的发光区具有至少一个量子阱结构，其结构包括第一保护层、在第一保护层上的第一过渡层、在第一过渡层上的量子阱层、在量子阱层上的第二过渡层、在第二过渡层上的第二保护层、以及在第二保护层上的量子垒层。 | ||
| 申请公布号 | CN103872198A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410110224.8 | 申请日期 | 2014.03.24 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 刘志彬;陈沙沙;张东炎;刘晓峰;王笃祥 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：基于Ⅲ族氮化物的第一保护层、在第一保护层上的基于Ⅲ族氮化物的第一过渡层，在第一过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的阱层，在量子阱层上的基于Ⅲ族氮化物的第二过渡层，在第二过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的第二保护层，以及在第二保护层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 | ||