具有横向二极管的半导体装置

摘要

一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。

主权项

一种具有横向二极管的半导体装置，所述半导体装置包括：包括第一导电类型半导体层（1c，1f，1g）的半导体衬底（1）；位于所述半导体层（1c，1f，1g）中的第一导电类型的第一半导体区域（2）；杂质浓度大于所述第一半导体区域（2）的杂质浓度的第一导电类型的接触区域（4）；位于所述半导体层（1c，1f，1g）中并与所述接触区域（4）分开的第二导电类型的第二半导体区域（6）；通过所述接触区域（4）电连接到所述第一半导体区域（2）的第一电极（10）；以及电连接到所述第二半导体区域（6）的第二电极（11），其中所述第一半导体区域（2）和所述第二半导体区域（6）之一为阴极区，所述第一半导体区域（2）和所述第二半导体区域（6）的另一个为阳极区，所述第一电极（10）和所述第二电极（11）中的一个电极为所述横向二极管的阴极电极，所述第一电极（10）和所述第二电极（11）中的所述一个电极连接到所述阴极区，所述第一电极（10）和所述第二电极（11）中的另一个电极为所述横向二极管的阳极电极，所述第一电极（10）和所述第二电极（11）中的所述另一个电极连接到所述阳极区，所述第二半导体区域（6）包括低杂质浓度部分（7）、高杂质浓度部分（8）和扩展部分（9），所述低杂质浓度部分（7）与所述高杂质浓度部分（8）接触，并具有比所述高杂质浓度部分（8）的杂质浓度小的杂质浓度，所述第二电极（11）与所述高杂质浓度部分（8）形成欧姆接触，并且所述扩展部分（9）的杂质浓度大于所述低杂质浓度部分（7）的杂质浓度并在所述半导体层（1c，1f，1g）的厚度方向上延伸，所述扩展部分（9）从所述半导体层（1c）的表面延伸到所述半导体层（1c）的预定深度，并且所述深度小于所述半导体层（1c）的厚度。