发明名称 经由背栅电荷转移将数字集成电路从待命模式转变到活动模式
摘要 本发明提供用于促进数字电路(500)从背栅偏置待命模式到活动模式的转变的电路及方法。该数字电路(500)包括半导体衬底、至少部分地布置在该半导体衬底中的一个或多个p型井中的多个n沟道晶体管、至少部分地布置在该半导体衬底中的一个或多个n型井中的多个p沟道晶体管、及背栅控制电路(520)。该背栅控制电路(520)电耦接至p型井及n型井,以通过将电荷从n型井自动分流(510)至p型井直至达到指示所述晶体管从背栅偏置待命模式到活动模式的完全转变的井电压阈值为止,来促进所述多个n沟道晶体管及所述多个p沟道晶体管从背栅偏置待命模式到活动模式的转变。
申请公布号 CN102150367B 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN200980134834.9 申请日期 2009.08.26
申请人 国际商业机器公司 发明人 金大益;金钟海;金文柱;赵忠衍
分类号 H03K19/00(2006.01)I 主分类号 H03K19/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邸万奎
主权项 一种数字电路,其包括:半导体衬底;至少一个n沟道晶体管,其具有至少部分地布置在所述半导体衬底中的至少一个p型井中的栅极、漏极及源极;至少一个p沟道晶体管,其具有至少部分地布置在所述半导体衬底中的至少一个n型井中的栅极、漏极及源极;以及背栅控制电路,其电耦接至所述至少一个p型井及所述至少一个n型井;分流开关,所述分流开关连接在所述至少一个n型井与所述至少一个p型井之间,所述背栅控制电路耦接至所述分流开关,以用于,在促进所述至少一个n沟道晶体管及所述至少一个p沟道晶体管从待命模式到活动模式的转变时闭合所述分流开关,从而导致电荷从所述至少一个n型井道所述至少一个p型井的分流,以及在所述至少一个n型井或所述至少一个p型井的井电压达到指示所述至少一个p沟道晶体管或所述至少一个n沟道晶体管到活动模式的转变的阈值电压时,断开所述分流开关。
地址 美国纽约阿芒克