发明名称 | 薄膜静态腐蚀速率测量方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种薄膜静态腐蚀速率的测量方法。该方法包括:在晶片的衬底上形成薄膜,将晶片的一部分浸泡在化学机械抛光液中,浸泡一段时间后用轮廓仪测量界面处的高度差,从而得到该薄膜的静态腐蚀速率。 | ||
申请公布号 | CN103852410A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
申请号 | CN201210496284.9 | 申请日期 | 2012.11.28 |
申请人 | 安集微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 蔡鑫元;荆建芬;张建;王雨春 |
分类号 | G01N17/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N17/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
主权项 | 一种静态腐蚀速率的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将晶片的一部分浸泡在抛光液中,另一部分在液面上;(2)浸泡一段时间后取出使用轮廓仪测量液面内外薄膜的高度差。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室 |