发明名称 薄膜静态腐蚀速率测量方法
摘要 本发明提供了一种薄膜静态腐蚀速率的测量方法。该方法包括:在晶片的衬底上形成薄膜,将晶片的一部分浸泡在化学机械抛光液中,浸泡一段时间后用轮廓仪测量界面处的高度差,从而得到该薄膜的静态腐蚀速率。
申请公布号 CN103852410A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210496284.9 申请日期 2012.11.28
申请人 安集微电子(上海)有限公司 发明人 蔡鑫元;荆建芬;张建;王雨春
分类号 G01N17/00(2006.01)I 主分类号 G01N17/00(2006.01)I
代理机构 上海翰鸿律师事务所 31246 代理人 李佳铭
主权项 一种静态腐蚀速率的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将晶片的一部分浸泡在抛光液中,另一部分在液面上;(2)浸泡一段时间后取出使用轮廓仪测量液面内外薄膜的高度差。
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