发明名称 |
晶圆良率监测方法 |
摘要 |
本发明公开了一种良率监测方法,包括以下步骤:通过设计规则检查查找芯片版图中违反设计规则的图形结构;将所述违反设计规则的图形结构分为多个类别并根据各所述类别中违反设计规则的图形结构的数量选取其中至少一个类别;对选取的所述类别的图形结构评估其可造成的制程缺陷;针对评估的所述制程缺陷设计相应的监测结构;以及通过所述监测结构对芯片良率进行测试。本发明能够节省测试时间,提高对设计规则检查的审查准确性。 |
申请公布号 |
CN103855050A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201410118221.9 |
申请日期 |
2014.03.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
蔡恩静 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种芯片良率测试方法,包括以下步骤:步骤S1:通过设计规则检查查找芯片版图中违反设计规则的图形结构;步骤S2:将所述违反设计规则的图形结构分为多个类别并根据各所述类别中违反设计规则的图形结构的数量选取其中至少一个类别;步骤S3:对选取的所述类别的图形结构评估其可造成的制程缺陷;步骤S4:针对评估的所述制程缺陷设计相应的监测结构;以及步骤S5:通过所述监测结构对芯片良率进行测试。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |