一种N型背发射极太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型背发射极太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)对N型硅片进行制绒、扩散、背面抛光；(2)在硅片背面的抛光面上丝网印刷P型掺杂浆料，烧结，得到背发射极；(3)采用腐蚀液处理上述背发射极；(4)刻蚀、正面PECVD；(5)印刷背场、前表面印刷正电极、烧结。本发明先对硅片背面进行抛光，然后对背发射极进行腐蚀处理，改善背发射极的质量，同时制备相对均匀背发射极，从而减少背结区的载流子复合；实验证明：本发明的方法可以明显改善开路电压和短路电流，电池效率可以提升0.3%左右，取得了意想不到的技术效果，具有创造性。

主权项

一种N型背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 对N型硅片进行制绒、扩散、背面抛光；(2) 在硅片背面的抛光面上丝网印刷P型掺杂浆料，烧结，得到背发射极；(3) 采用腐蚀液处理上述背发射极；腐蚀的温度为25～50℃，时间为5～30min；处理后的结深为0.5~7微米，其方块电阻为50~80Ω/□；(4) 刻蚀、正面PECVD；(5) 印刷背场、前表面印刷正电极、烧结；即可得到所述N型背发射极太阳电池。