| 发明名称 | 用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。其中，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。本发明所公开的挡片舟组件具有高的使用寿命、不易变形，并且成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN103854977A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210511521.4 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发明人 | 潘之炜;季勇;崔严匀 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 方世栋;王忠忠 |
| 主权项 | 一种用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。 | ||
| 地址 | 214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 | ||