发明名称 一种千叶兰茎段扦插繁殖方法
摘要 本发明涉及一种千叶兰茎段扦插繁殖方法,本发明属于植物栽培技术、园林植物与观赏园艺领域。采用一定比例的草炭土,珍珠岩和蛭石混合,组成千叶兰茎段扦插繁殖的培养基质,通过调节合适的基质酸碱度,把培养基质放入育秧盘中,并将待扦插的千叶兰茎段进行消毒处理后插入其中,提供合适的培养温度和湿度,当被扦插的千叶兰茎段上长出新根芽后移栽,按照常规种植办法种植即可。本发明通过扦插繁殖,使千叶兰茎段处于优良的生长环境,能有效提高千叶兰茎段的分化生长与繁殖率。
申请公布号 CN103843539A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210496557.X 申请日期 2012.11.29
申请人 北京农学院 发明人 崔金腾;张克中;王全;王杰
分类号 A01G1/00(2006.01)I 主分类号 A01G1/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种千叶兰茎段扦插繁殖方法,其特征在于包括下列步骤:1)培养基质的配制:取干燥的草炭土,珍珠岩和蛭石按照3∶1∶1混合成培养基质,然后放在高压灭菌锅中在121℃条件下灭菌30‑40分钟,待已灭菌的培养基质干燥后,在培养基质中加入0.2%‑0.5%的生根粉溶液使之湿润,调节培养基质pH在6.5‑7.0之间,然后将培养基质倒入育秧盘中备用,调节培养基质pH值时可用1摩尔每升的稀磷酸、氢氧化钾溶液;2)母株茎段的切割和消毒:取生长茂盛的千叶兰母株,清洗干净并分株,从顶芽到根部使母株的茎完全伸展,使用手术剪,将母株的茎剪为5‑6厘米长的茎段,并确保每部分茎段均带有2‑3片千叶兰母株叶片,然后将这些剪好的茎段在稀释500‑800倍的多菌灵中浸泡20‑40分钟消毒,然后取出茎段待插;3)茎段的扦插定植:将消毒的茎段插入育秧盘中的培养基质内,株行间距3×3厘米,将千叶兰茎段插入培养基质1‑2厘米深,置于22‑25℃的阴暗条件下培养50‑60天,期间保持环境湿度在70%左右,并待每次培养基质干燥后浇透水;4)小苗的移植:当被扦插的千叶兰茎段上长出新根和新芽后移栽,按常规管理方法进行练苗处理后即可进行花房温室定植。
地址 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路7号北京农学院