| 发明名称 | 具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN103855100A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201310165208.4 | 申请日期 | 2013.05.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈宪伟;邵栋樑;杨庆荣;赖昱嘉;蔡豪益;于宗源 |
| 分类号 | H01L23/16(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路的密封圈结构，包括：密封圈；以及金属绝缘体金属（MIM）电容器，所述MIM包括：顶电极；底电极，设置在所述顶电极的下方；和第一绝缘层，设置在所述顶电极和所述底电极之间，其中，所述MIM电容器设置在所述密封圈内且由第二绝缘层将所述MIM电容器和所述密封圈分隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||