含沟槽结构肖特基嵌位二极管及终端结构

摘要

本发明公开了一种含沟槽结构肖特基嵌位二极管，包括：一N型外延层，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管的负极；在N型外延层中形成的多个沟槽，在所述沟槽内形成的一层氧化层，位于所述氧化层之上，填充满所述沟槽的多晶硅；所述多个沟槽及其内部的氧化层和多晶硅，构成沟槽区域；在所述沟槽底部形成的且包裹沟槽底部的P型掺杂区；各P型掺杂区相互之间不相连；在所述N型外延层和沟槽区域的上端形成的金属层，通过该金属层将N型外延层与所述沟槽区域相连接，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管正极。本发明还公开了一种与所述含沟槽结构肖特基嵌位二极管相匹配的终端结构。本发明能够强化沟槽底部的耐压能力，使产品具有更好的反向耐压能力。

主权项

一种含沟槽结构肖特基嵌位二极管，包括：一N型外延层，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管的负极；其特征在于，还包括：在所述N型外延层中形成的多个沟槽，在所述沟槽内形成的一层氧化层，位于所述氧化层之上，填充满所述沟槽的多晶硅；所述多个沟槽及其内部的氧化层和多晶硅，构成沟槽区域；在所述沟槽底部形成的且包裹沟槽底部的P型掺杂区；各P型掺杂区相互之间不相连；在所述N型外延层和沟槽区域的上端形成的金属层，通过该金属层将N型外延层与所述沟槽区域相连接，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管正极。