| 摘要 |
<p>Integrierter Schaltkreis mit einer Speicherzellenanordnung (100), wobei die Speicherzellenanordnung (100) aufweist:•eine Mehrzahl von Speicherzellen, welche aufeinander oder übereinander in einer Finnenstruktur (154) angeordnet sind;•eine Schalterstruktur mit Schalterelementen, wobei mindestens einige der Schalterelemente aufeinander oder übereinander angeordnet sind, wobei jedes Schalterelement einer jeweiligen Speicherzelle zugeordnet ist;•wobei die Speicherzellenanordnung (100) eine NAND-Speicherzellenanordnung ist, wobei die Finnenstruktur (154) sich in ihrer longitudinalen Richtung als einer ersten Richtung erstreckt, wobei die Finnenstruktur (154) aufweist:•eine erste Isolationsschicht (156);•eine Mehrzahl von ersten aktiven Bereichen (158) einer ersten Mehrzahl von Speicherzellen, welche miteinander in Serienverbindung in der ersten Richtung gekoppelt sind und welche auf oder über der ersten Isolationsschicht (156) angeordnet sind;•eine zweite Isolationsschicht (160), welche auf oder über den ersten aktiven Bereichen (158) angeordnet ist; ...</p> |
