发明名称 等离子体处理装置和等离子体处理方法
摘要 本发明提供能够不使用整流壁或自由基消耗量多的牺牲件,而使被处理基板的周边部的反应性降低以进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备:用于收容基板(G)、对该基板(G)实施等离子体处理的处理容器(2);在处理容器(2)内载置基板(G)的基板载置台(4);对处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构(20、28);对处理容器(2)内进行排气的排气机构(30);作为在处理容器(2)内生成处理气体的等离子体的等离子体源的高频电源(14a);和向基板载置台(4)上的基板(G)的周边部供给捕获气体的捕获气体供给机构(16、19),该捕获气体捕获等离子体中的活性种。
申请公布号 CN103839748A 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201310616729.7 申请日期 2013.11.27
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 吹野康彦;丸山智久
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种等离子体处理装置,其对基板实施等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,具备:用于收容基板、对该基板实施等离子体处理的处理容器;在所述处理容器内载置基板的基板载置台;对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构;对所述处理容器内进行排气的排气机构;在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成单元;和向所述基板载置台上的基板的周边部供给捕获气体的捕获气体供给机构,该捕获气体捕获所述等离子体中的活性种。
地址 日本东京都