| 发明名称 | 具有多个独立栅极晶体管的类反相器电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电路，该电路包括在用于施加电源电位的第一和第二终端之间的与第二类型沟道的晶体管串联的第一类型沟道的晶体管，晶体管中的每一个为至少具有第一独立控制栅极（G<sub>1P</sub>、G<sub>1N</sub>）和第二独立控制栅极（G<sub>2P</sub>、G<sub>2N</sub>）的多栅极晶体管，其特征在于，晶体管中至少一个配置为在施加至其第二控制栅极（G<sub>2P</sub>、G<sub>2N</sub>）的第二栅极信号的作用下以耗尽模式操作。 | ||
| 申请公布号 | CN103843066A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201180073800.0 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | SOITEC公司 | 发明人 | C·马祖雷;R·费朗;B-Y·阮 |
| 分类号 | G11C8/08(2006.01)I;G11C11/408(2006.01)I;H03K19/20(2006.01)I | 主分类号 | G11C8/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种电路，所述电路包括在用于施加电源电位的第一和第二终端之间的与第二类型沟道的晶体管串联的第一类型沟道的晶体管，晶体管中的每一个为至少具有第一独立控制栅极（G<sub>1P</sub>、G<sub>1N</sub>）和第二独立控制栅极（G<sub>2P</sub>、G<sub>2N</sub>）的多栅极晶体管，其特征在于，所述晶体管中至少一个配置为在施加至其第二控制栅极（G<sub>2P</sub>、G<sub>2N</sub>）的第二栅极信号的作用下以耗尽模式操作。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||