具有减少的阱跳变的图像传感器

摘要

一种CMOS图像传感器或其它类型的图像传感器包括：像素阵列以及与该像素阵列相关联的采样与读出电路。在读出该像素阵列的选定群组的像素中的一个或多个时，该阵列的像素电源线信号从无效状态转变为有效状态，且在该像素电源线信号从其无效状态转变为其有效状态之前的预定时间内，该像素阵列的未选定群组的像素的重置信号从有效状态转变为无效状态。此布置有利地减少了图像传感器内的阱跳变。该图像传感器可以被实施于数码相机或其它类型的数字成像装置中。

主权项

一种图像传感器，其包括：像素阵列；以及与所述像素阵列相关联的采样与读出电路；其中在读出所述像素阵列的选定群组的像素中的一个或多个像素的同时，所述阵列的像素电源线信号从无效状态转变为有效状态，并且在所述像素电源线信号从其无效状态转变为其有效状态之前的预定时间内，所述像素阵列的未选定群组的像素的重置信号从有效状态转变为无效状态，其中所述像素阵列包括：多个像素，其被布置成行和列；像素电源线，其适于接收所述像素电源线信号；以及像素输出线，其与所述列的各列相关联；所述像素中的给定的一个包括：光敏元件；以及第一晶体管，其具有耦合于所述光敏元件和浮置扩散层之间的源极端子和漏极端子，且具有适于接收传输信号的栅极端子；其中第二晶体管具有耦合于所述像素电源线和所述像素输出线中的一个之间的源极端子和漏极端子，且具有耦合到所述浮置扩散层的栅极端子；其中第三晶体管具有耦合于所述像素电源线和所述浮置扩散层之间的源极端子和漏极端子，且具有适于接收所述重置信号的栅极端子；以及其中所述光敏元件与所述第一、第二和第三晶体管形成于第二导电类型的衬底上的第一导电类型的阱中，并且其中所述图像传感器被配置为满足如下电荷平衡等式：C_RGΔV_RG+C_PPΔV_PP≌0其中C_RG为所述第三晶体管的栅极端子和所述阱之间的电容，C_PP为所述像素电源线和所述阱之间的电容，ΔV_RG为所述重置信号在从其有效状态转变为其无效状态时的电压水平的变化量，并且ΔV_PP为所述像素电源线信号在从其无效状态转变为其有效状态时的电压水平的变化量。