发明名称 |
发光器件和发光器件封装 |
摘要 |
本发明提供一种发光器件和发光器件封装。在一个实施例中,发光器件包括:支撑构件;在支撑构件上的发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件;电极,该电极包括在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部、以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部;以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。 |
申请公布号 |
CN102163673B |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201110042254.6 |
申请日期 |
2011.02.18 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:导电支撑构件;在所述导电支撑构件上的发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;反射层,所述反射层设置在所述导电支撑构件的上表面上;保护构件,所述保护构件形成在所述反射层的上表面的外围区域上;电极,所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸且在所述保护构件上的延伸部;以及在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层,并且其中所述保护构件设置在所述第二导电类型半导体层和所述反射层之间,其中所述绝缘层形成在所述保护构件和所述电极之间。 |
地址 |
韩国首尔 |