一种有效减少水痕缺陷的方法

摘要

本发明公开一种有效减少水痕缺陷的方法，用于晶片在形成双多晶硅栅的过程中的清洗工艺，当晶片退火（anneal）之后，在进行钨金属硅化物的淀积之前先进行所述清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺包括如下步骤：将所述晶片送入湿式蚀刻清洗系统中；湿法蚀刻所述晶片以去除有机物和微粒子，再对所述晶片进行干燥处理，使所述晶片表面为亲水性表面，以降低水痕缺陷的形成；干法蚀刻去除所述晶体表面的氧化层，以避免水痕残留。

主权项

一种有效减少水痕缺陷的方法，用于晶片在形成双多晶硅栅的过程中的清洗工艺，当晶片退火之后，在进行钨金属硅化物的淀积之前先进行所述清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺包括如下步骤：将所述晶片送入湿式蚀刻清洗系统中；先用洗净溶液SPM（H₂SO₄：H₂O₂）清洗所述晶片以去除有机物，然后用蚀刻液清洗所述晶片，再用洗净溶液APM（NH₄OH：H₂O₂：H₂O）清洗所述晶片以去除微粒子和有机物，再对所述晶片进行干燥处理，使所述晶片表面为亲水性表面，以降低水痕缺陷的形成；干法蚀刻去除所述晶体表面的氧化层，以避免水痕残留。