浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、第一氮化硅层；在所述半导体衬底内形成沟槽，在所述第一氧化硅层、第一氮化硅层内形成开口；在所述开口和沟槽内形成第二氧化硅层；在所述开口和沟槽内形成第二氮化硅层；在所述沟槽内填充第三氧化硅层；进行刻蚀工艺，去除位于开口侧壁的、位于第三氧化层上方的第二氮化硅层；在所述开口内填充第四氧化硅层，所述第四氧化层覆盖所述第一氮化硅层的表面以及所述第三氧化硅层的表面；进行平坦化工艺，去除位于所述第一氮化硅层表面的第四氧化层；进行刻蚀工艺，去除所述第一氮化硅层。本发明解决了沟槽内的氮化硅层被过量刻蚀的问题。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、第一氮化硅层；对所述第一氧化硅层、第一氮化硅层、半导体衬底进行刻蚀工艺，在所述半导体衬底内形成沟槽，在所述第一氧化硅层、第一氮化硅层内形成开口；在所述开口和沟槽内形成第二氧化硅层；在所述开口和沟槽内形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层的表面；在所述沟槽内填充第三氧化硅层，所述第三氧化硅层的表面与所述半导体衬底的表面齐平；进行刻蚀工艺，去除位于开口侧壁的、位于第三氧化层上方的第二氮化硅层；进行沉积工艺，在所述开口内填充第四氧化硅层，所述第四氧化层覆盖所述第一氮化硅层的表面以及所述第三氧化硅层的表面；进行平坦化工艺，去除位于所述第一氮化硅层表面的第四氧化层；利用热磷酸进行刻蚀工艺，去除所述第一氮化硅层。