| 发明名称 | 沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法。其中，所述方法包括：提供用于多晶硅回刻在线监控的片上测试模块，所述片上测试模块具有沟槽，所述沟槽在水平面内呈等腰梯形的形状；将所述片上测试模块作为对象执行多晶硅填充和回刻操作，并且测量经过多晶硅填充和回刻操作后的所述片上测试模块在水平面内形成的沿所述等腰梯形高度方向上的沟槽宽度渐变图案的聚拢点位置处的沟槽宽度；基于所述聚拢点位置处的沟槽宽度监控当前的多晶硅回刻操作是否满足预期的工艺要求。本发明所公开的沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法具有高的时效性且成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN103839846A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210474717.0 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 卞铮 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 方世栋;王忠忠 |
| 主权项 | 一种沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法，所述方法包括下列步骤：（A1）提供用于多晶硅回刻在线监控的片上测试模块，所述片上测试模块具有沟槽，所述沟槽在水平面内呈等腰梯形的形状；（A2）将所述片上测试模块作为对象执行多晶硅填充和回刻操作，并且测量经过多晶硅填充和回刻操作后的所述片上测试模块在水平面内形成的沿所述等腰梯形高度方向上的沟槽宽度渐变图案的聚拢点位置处的横断面沟槽宽度；（A3）基于所述聚拢点位置处的沟槽宽度监控当前的多晶硅回刻操作是否满足预期的工艺要求。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||