发明名称 | X射线半导体成像器像素的电隔离 | ||
摘要 | 为了减轻出现在半导体探测器中的电荷共享的影响,提供了一种改进的半导体探测器,其包括:布置用于形成至少一个开口的多个阳极,每个开口由多个阳极中的两个阳极形成;至少一个阴极;位于该多个阳极和该至少一个阴极之间的探测器单元;其中,该探测器单元包括至少一个沟槽,该至少一个沟槽中的每个具有第一开口,该第一开口与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准,至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极延伸。通过在探测器单元中形成沟槽,可以通过相应阳极而不是几个相邻阳极接收由单一光子产生的电荷云,这因此改进了半导体探测器的频谱分辨率和计数速率。 | ||
申请公布号 | CN101911299B | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
申请号 | CN200880123119.0 | 申请日期 | 2008.12.26 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | E·勒斯尔;R·普罗克绍 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;刘炳胜 |
主权项 | 一种半导体探测器(300,400),包括:‑布置用于形成至少一个开口(230)的多个阳极(210),每个开口(230)由所述多个阳极(210)中的两个阳极形成;‑至少一个阴极(220);‑位于所述多个阳极(210)和所述至少一个阴极(220)之间的探测器单元(240);其中,所述探测器单元(240)包括至少一个沟槽(250’,250”),所述至少一个沟槽(250’,250”)中的每个沟槽具有第一开口,所述第一开口与由所述多个阳极(210)中的两个阳极形成的所述至少一个开口(230)中的一个对准,所述至少一个沟槽(250’,250”)中的每个沟槽朝向所述至少一个阴极(220)延伸,其中,所述至少一个沟槽(250’,250”)中的每个沟槽沿着不垂直于该沟槽的第一开口的平面的方向延伸。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |