| 发明名称 | 一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法。该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO<sub>2</sub>-Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜、以及采用物理气相沉积的金属栅电极。其制备方法包括如下步骤：(1)清洗InP基片，去除其表面的有机污染物、微尘、金属离子及氧化层；(2)采用氧化铪和氧化钆陶瓷靶材向InP基片上沉积HfO<sub>2</sub>-Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜；(3)采用物理气相沉积法向HfO<sub>2</sub>-Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜上沉积金属栅电极，得到InP/高κ栅介质堆栈结构。本发明的InP/高κ栅介质堆栈结构表现出优异的电学性能，具有较高的介电常数、较小的漏电流密度。本发明为III-V族半导体/高κ栅堆栈结构在集成电路中的应用提供了依据。 | ||
| 申请公布号 | CN103839984A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210485630.3 | 申请日期 | 2012.11.26 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 屠海令;杨萌萌;杜军;魏峰;熊玉华;张心强 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 一种InP/高κ栅介质堆栈结构，其特征在于：该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO<sub>2</sub>‑Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜、以及采用物理气相沉积的金属栅电极。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||